汽车仪表液晶仪表flash和DDR SDRAM选型推荐
目前我司合作的客户，国内某合资车厂M， 在他们的汽车仪表的项目上，我从15年开始给他们推荐我们的和刹那品，
他们一款全新的液晶仪表上，要选到的存储产品有：一颗 SPI NOR FLASH和一颗DDR1 SDRAM
,我司推荐的型号分别是旺宏MXIC 的MX25L12833FM2I-10G(串口SPI nor
flash)和AS4C16M16D1A-5TIN(替换兼容三星已停产的K4H561638).
汽车液晶仪表产品因为属于前装车载产品，研发周期长，使用寿命长，
所以他的产品都是使用偏稳定的工控类汽车类电子产品，存储这块那些大厂的市场是偏向于消费类， 产品更新替代块， 停产快，
导致很多汽车客户不愿意使用， 我们做的旺宏MXIC和英国班德斯bordison memory，美国
8G DDR3
- AS4C512M16D3L高速，低电压CMOS DDR3L SDRAM
Alliance Memory推出一款新的单片高速，低电压CMOS双倍数据速率3同步DRAM（DDR3L
SDRAM）96FBGA封装。
主要规格和优点：
3.3V低功耗、低成本高速同步SRAM型号AS8C403601-QC166N/AS8C401801-QC166N，可消除读写时产生的死循环
静态随机存储器SRAM（Static Random Access
Memory）是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，具有高性能，功耗较小的特点。
镁光，Hynix海力士，三星SDRAM停产怎么办？Bordison承诺-长寿命不停产，量产再无忧！
不少工程师发现，公司产品量产时突然采购告知所用SDRAM缺货或停产了，让工程师重新找一个替代的型号，轻则找一个PIN TO
PIN
大盛唐电子旺宏MXIC 的并口Parallel nor Flash选型
Parallel Flash系列的概述：
MXIC提供行业标准的并行Flash，电压有1.8V，3V和5V，容量从2Mb到1Gb，总线宽度×8，×16，×8/×16可选。
ISOCOM是具有25年的光藕制造经验，是英国光藕制造专家。其产品不仅涵盖常用的商业级，工业级高品质光藕，ISOCOM并且提供其他厂家已经停产的光藕产品和客户定制服务，为客户提供一站式全方位服务。
ISOCOM所有产品的设计，生产，丝印，封装，测试，检验都在英国工厂完成后远销全球。
ISOCOM以其较短的货期(通常1-2周)，丰富的产品线，优良的产品品质，有竞争力的价格，完善的售后服务成为全球制造工厂的光藕产品首选。
ISOCOM 光耦产品与AVAGO、东芝（TOSHIBA）、仙童（FAIRCHILD）、NEC、SHARP、
VISHAY 等 完全兼容, 可以代用日、美的品牌。 应用在：在电力仪表、工业控制、变频器、电器、智能控制等等产品上。
ISOCOM取得领先工业标准承认，i.e. VDE，UL，NEMKO，ISO9001：2000 更具竞争力的价格加上替换产品
- 全面双赢.
ISOCOM常规型号：
TL
NB-lOT是什么鬼？
“NB-IOT”是最新一代通信技术标准，全称NarrowBandInternetofThings，窄带蜂窝物联网。此技术的竞争对手为WIFI，蓝牙、ZIGBEE、GSM、电力线载波等通讯标准；相对于其他通讯协议，NB-IOT技术具有覆盖广、连接多、速率低、成本低、功耗少、架构优等特点，这些特点使得其适合在TB商业领域（智能抄表、智能停车、车辆跟踪、物流监控等）的大规模应用。
热线：
Steve曾志新13430428959 ；steve@szdst.com.cn；1217854027
/806990228/2157197967
班德斯存储半导体Bordison
MEMORY读写速率800Mbps/pin的DDR2SDRAM
全球性的专业Memory供应商Bordison近日推出一款高速CMOS DDR2
SDRAM——BDB64M16B-25BC，该SDRAM容量为1G，最快时钟频率为400MHz，主要面向商业及工业用途。
BDB64M16B-25BC是一款全同步SDRAM，所有的输入和处理时序都与一组外部差分时钟同步，从而避免不必要的等待周期，以减少数据存储时间。输入信号在差分时钟的交叉点进行锁存，并以源同步的方式与一组双向选通信号同步。相比于标准的DRAM.
BDB64M16B-25BC的数据读写通过8位突发传输进行。激活bank命令生效即开始访问内存，访问从一个选定位置开始，然后依次访问可编程位置序列，并执行读写命令。使用过程中结合突发传输方式，CAS延迟和设备的速度等级，可以实现顺序且无缝的数据传输。
BDB64M16B-25BC内
Alliance
Memory——全球领先的工业级、汽车级DRAM存储器厂家
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Bordison
memory班德斯存储半导体读写速率800Mbps/pin的DDR2SDRAM
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