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英特尔3D NAND Flash

前段时间,Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop,Intel的技术人员在会上具体揭示了英特尔 3D NAND FLASH的计划以及一些技术上的细节。

3D NAND Flash优势

1)存储密度可以达到现有闪存的三倍以上,未来甚至可以做

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磁性随机存储器,简称STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence Random Access Menory),也叫自旋转移矩磁阻存储记忆体,是一种非易失性储存,其架构与传统MRAM相同,但耗电量更少,具备速度极快和耗电量低的优点,具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力。未来可望成为补充或者替代DRAM的产品之一。

STT-MRAM属于第2代MRAM技术,据说能够解决传统MRAM结构所存在的一些问题,STT-MRAM是众多竞相成为下一代通用存储器技术的方案之一,通用存储器是指下一代平台,能够满足各种不同应用的需求,并取代目前所使用的

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(2015-04-06 16:27)
FRAM

FRAM(Ferromagnetic Random Access Memory),铁电随机存取存储器。FRAM由麻省理工学院首次提出,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的优点是可在失去电力的情况下,资料毫不受损,且写入速度极快,重复写入的次数高,几乎是无限次数,可大量取代EEPROM

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(2015-04-06 15:58)
LPDDR4

JEDEC固态技术协会于2014年8月26日发布了新一代低功耗内存标准LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4),规范编号“JESD209-4”。

LPDDR4内存主要面向智能手机、平板机、超薄笔记本等移动类设备,和针对桌面、笔记本、服务器的DDR4内存一样,它也致力于提升频率、性能和吞吐能

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(2014-12-30 14:53)
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ddr

ddr2

ddr3

ddr4

ddr5

严格的说DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。其实DDR SDRAMDouble Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低生产成本。

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nand

nor

闪存

samsung

sst

 

  Flash存储器又称闪存芯片,是一种可以在线反复擦除的非易失性存储器,即掉电后数据不会丢失,具体积小、功耗低、抗振性强等优点,为嵌入式系统中典型的两种存储设备。
        一、NOR型Flash:如SST39VF160,可以直接读取芯片内存储器的数据,速度比较快,但价格较高;芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在Flash上运行,不必再把代码读到系统RAM中;

        二、NAND型Flash:如K9F2808U0C
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(2014-12-16 17:49)
Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘、移动终端等。
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的二分之一,由于生产过程更为简单,NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就 相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场
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型号 生产商 批号
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sdram

内存芯片

dram

同步动态随机存取內存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取內存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行流水线操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一个更复杂的操作模式。

流水线意味着芯片可以在处理完之前的指令前,接受一个新的指令。在一个写入的流水线中,写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行,而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中,需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达,而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延迟被称为等待时间,在为计算机购买內存时是一个很重要的参数。

SDRAM在计算机中被广泛使用,从起初的SDRAM到之后一代的DDR(或称DDR1),然后是DDR2DDR3进入大众
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