IMD的中文名称:注塑表面装饰技术 即IMD(In-Mole
Decoratiom),IMD是目前国际风行的表面装饰技术,主要应用于家电产品的表面装饰及功能性面板,常用在手机视窗镜片及外壳、洗衣机控制面板、
冰箱控制面板、空调控制面板、汽车仪表盘、电饭煲控制面板多种领域的面板、标志等外观件上。
IMD又分为IML、IMR,这两种工艺的最大区别就是产品表面是否有一层透明的保护薄膜。
IML的中文名称:模内镶件注塑 其工艺非常显著的特点是:表面是一层硬化的透明薄膜,中间是印刷图案层,背面是塑胶层,由于油墨夹在中间,可使产品防止表面被刮花和耐磨擦,并可长期保持颜色的鲜明不易退色。
IMR的中文名称:模内转印
此工艺是将图案印刷在薄膜上,通过送膜机将膜片与塑模型腔贴合进行注塑,注塑后有图案的油墨层与薄膜分离,油墨层留在塑件上而得到表面有装饰图案的
塑件,在最终的产品表面是没有一层透明的保护膜,膜片只是生产过程中的一个载体。但IMR的优势在于生钡淖远潭雀吆痛笈可某杀窘系汀MR的
缺点:印刷图案层在产品的表面上,厚度只有几个微米,产品使用一段时间后很容易
根据研究机构iSuppli
Corp预估的2007年IC制造业营收排名,Intel、Sony、Toshiba与Qualcomm的表现最为出色,为市场赢家。
输家则包括--Advanced Micro Devices Inc.(AMD-US;超威)与Freescale
Semiconductor Inc.(FSL-US;飞斯卡尔),两家公司的 2007年度营收预期将排不进市场前10名。
根据预估排名, Intel
Corp.(INTL;英特尔)将蝉联全球IC制造龙头。该公司半导体营收预期成长7.7%,来到339.7亿美元。Samsung
Electronics Co. Ltd.(005930-KR)仍维持第2。
第3、第4名则互有更动。去年落后的Toshiba Corp.(6502-JP)预期将超越Texas Instruments
Inc.(TI-US;德仪)。
其它的前10名企业,STMicroelectronics(意法)维持于第5位,其余分别为
Hynix(000660-KR;海力士)、Renesas(瑞萨)、Sony(6758-JP)、NXP(恩智浦-前身
phlips)与Infineon Technologies AG (英飞凌)。
Sony与Infineon预估排序大跃进,2006年时都没有进入前10名。Sony去年名次为第14,Infineon排第15。
不过,Sony的年底排名仍有变数。据iSuppli.表示,因为Sony的芯片营收几乎均来自于旗下
PS3电玩游戏机的销售。该公司的2007年半导体营收从去年51亿美
目前在手机行业,手机显示方式基本上采用LCD,主要是由于液晶显示器(LCD)具有轻薄短小、低耗电量、无辐射危险,平面直角显示以及影像稳定不闪烁等
优势迎合了手机的要求。尽管LCD的价格已经下降了许多,但是,对手机里各元器件来说,LCD依然是成本较高的一种,所以,控制和降低LCD在生产中产生
的不良和不良率是非常重要的。从生产和客服反馈的与LCD有关的不良现象主要是屏裂、缺行和无显示等,其中大部分与结构有关,所以,对LCD装配结构的设
计和装配提出一些相应的要求。
1.LCD结构
LCD的工作原理基本上是藉由电场加于液晶,改变其双折射现象,并配合偏光片来决定光的路径。所以,LCD结构如左图所示,前后为2块偏光片,可决定光的
行进路线;为使液晶分子呈现规则的排列,采用在两块玻璃板刷一层PI(能使液晶分子按一定方向取向),液晶和玻璃粉就分布在这中间,因此,图中玻璃中间是
一层很薄的液晶层,大约5~7μm,俗称空盒;两块玻璃一长一短,长玻璃露出部分上面layout许多电路,我们称之为PIN板,由上面driver驱动
LCD工作。目前,工作时一般利用背光板发光,这样,LCD可以按要求工作。

集成电路,英文的全称是Integrated Circuit, 中文简称为IC)
,集成电路,也有称为蕊片或chip的,集成电路,就是将晶体管、电阻、电容、二极管等电子组件整合装至一芯片(chip)上所构成的元件。现在的大规模
集成电路,可以集成几百万仍之几千万的电子元件。按照集成的电子元件来分,集成电路分为以下几种:
?小型集成电路(SSI),集成晶体管数 10~100
?中型集成电路( MSI),集成晶体管数 100~1,000
? 大规模集成电路(LSI),晶体管数 1,000~10,0000
? 超大规模集成电路(VLSI),晶体管数 100,000~ 更多
在网上对集成电路的定义是这样的:集成电路(Integrated Circuit, 通常简称IC)
,又称为集成电路。是指将很多微电子器件集成在芯片上的一种高级微电子器件。通常使用硅为基础材料,在上面通过扩散或渗透技术形成N型和P型半导体及P-
N结。实验室中也有以砷化镓(GaAs)为基材的芯片,性能远超硅芯片,但是不易量产,价格过高。
我们通常所说的'芯片'是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对'强电'、'弱电'等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代
信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、
石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
一、石英晶体振荡器的基本原理
1、石英晶体振荡器的结构
石
英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶
片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚
上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。下图是一种金属外
壳封装的石英晶体结构示意图。
2、压电效应
若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。反之,若在晶片的两
侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时晶片的机械振动
又会产生交变电场。在一般情况下,晶片
九、 部分电感的计算公式
9.1 环形电感
针对环形CORE,有以下公式可利用: (IRON)
L=N2*AL L=电感量(H) AL= 感应系数
H-DC=0.4πNI /l N==绕线匝数(圈)
H-DC=直流磁化力 I= 通过电流(A) l= 磁路长度(cm)
l及AL值大小,可参照Micrometa对照表。例如:
以T50-52材,绕线5圈半,其L值为T50-52(表示OD为0.5英寸),经查表其AL值约为33nH
L=33*(5.5)2=998.25nH≈1μH
当通过10A电流时,其L值变化可由l=3.74(查表)
H-DC=0.4πNI / l = 0.4×3.14×5.5×10 / 3.74 = 18.47
(查表后)
即可了解L值下降程度(μi%)
9.2 电感计算
介绍一个经验公式
L=(k*μ0*μs*N2*S)/l
其中
μ0 为真空磁导率=4π*10(-7)。(10的负七次方)
μs 为线圈内部磁芯的相对磁导率,空心线圈时μs=1
N2 为线圈圈数的平方
S 线圈
一、 电感器的定义。
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1.1 电感的定义:
电感是导线内通过交流电流时,在导线的内部及其周围产生交变磁通,导线的磁通量与生产此磁通的电流之比。
当电感中通过直流电流时,其周围只呈现固定的磁力线,不随时间而变化;可是当在线圈中通过交流电流时,其周围将呈现出随时间而变化的磁力线。根据法拉弟电
磁感应定律---磁生电来分析,变化的磁力线在线圈两端会产生感应电势,此感应电势相当于一个“新电源”。当形成闭合回路时,此感应电势就要产生感应电
流。由楞次定律知道感应电流所产生的磁力线总量要力图阻止原来磁力线的变化的。由于原来磁力线变化来源于外加交变电源的变化,故从客观效果看,电感线圈有
阻止交流电路中电流变化的特性。电感线圈有与力学中的惯性相类似的特性,在电学上取名为“自感应”,通常在拉开闸刀开关或接通闸刀开关的瞬间,会发生火
花,这就是自感现象产生很高的感应电势所造成的。
总
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合, 旁路,滤波,调谐回路,
能量转换,控制电路等方面。用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF
一、电容器的型号命名方法
国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。
第二部分:材料,用字母表示。
第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。
第四部分:序号,用数字表示。
用
字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J
-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
二、电容器的分类
1、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。
2、按电 解质 分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介
质
电阻额定功率值在电路图上的符号
所谓电阻的额定功率值,指的是电阻所承受的最高电压和最大电流的乘积。每个电阻都有其额定功率值,常见电阻的额定功率一般分为1/8W、1/4W、1/2W、