JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。
标准内适用的文件：
    EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits
    EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型)

    试验室温度应保持在特定温度的+/- 5℃内
    最大电源电压应遵守规格书内的规范；绝对最大额定电压和绝对最大额定结温，一般由制造商根据特定的设备或技术给定。

1. 应力持续时间
    由内部质量要求、EIA/JESD 47 或适当的采购文件制定。

2. 应力条件（持续提供）
（1）环境温度
    除特殊要求，高温应根据最小结温在125℃以下调整；除特殊要求，低温最大值为-10℃。
（2）工作电压
    一般工作电压应为器件规定的最大工作电压。可以使用更高的工作电压，以便从电压和温度上加速寿命试验，但一定不能超过绝对最大额定电压。

3. 偏置配置
  

这次拜访了3家测试厂，其中两家与我交流了我们晶圆测试加工的细节问题，其中比较突出的就是切割挑粒的问题。下面总结下为什么他们都觉得我们的晶圆切割挑粒加工起来困难问题。

什么是工程片：
对于测试厂来说，工程片即多项目晶圆MPW（Multi Project Wafer），就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，流片后，每个设计品种可以得到数十片芯片样品。这种做法一般用在新产品的验证、测试上，多种样品集合在一片晶圆上流片，每个项目费用均摊，降低流片费用，大大降低了Design House、大学实验室的研发资金要求。
虽然在晶片制作上节省了很多费用，但却对后续切割挑粒造成了一定的困难。每个样品的die size可能一致，在拼图时就会造成切割道不是一条直线。此时，切割过程就需要用到多张蓝膜，且晶圆要不断改变切割方向，这样就费时和费料了。工程片的挑粒基本会使人工完成，这样效率反而比自动设备快。

我们这次的晶圆：
这次TSCM代工的晶圆对我们来说是第一次量产，但由于新设计了两款产品，又不想另花费去做样品的流片，所以就将5种产品放在一个晶圆上，形成MPW。

切割问题：
由于事先