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研究表明:极低频暴露能够导致小鼠学习记忆障碍

(2016-01-28 11:12:11)
标签:

waveex

磁场

极低频

健康

博客十周年

分类: ELF极低频磁场暴露
发表于《军事医学》 2013年4期的科研项目报告《极低频电磁场与铝联合应用对小鼠学习记忆行为的影响》表明:ELF-MF极低频磁场暴露与铝负荷单独或联合暴露均能够导致小鼠学习记忆障碍,其机制可能与氧化应激有关.。 摘要如下:

摘要:
目的 观察极低频电磁场(ELF-MF)与铝负荷对学习记忆行为的影响,并初步探讨其可能机制.方法 64只雄性SPF级昆明小鼠每天接受50 Hz、2 mT ELF-MF暴露和(或)灌胃给予葡萄糖酸铝(200 mg Al3+/kg),一周6 d,共8周.8周后取大脑组织做HE染色观察小鼠脑组织病理形态变化;Morris水迷宫检测小鼠的学习记忆行为;生化方法检测小鼠大脑组织及血清中SOD活性和MDA含量.结果 ELF-MF暴露与铝负荷单独或联合暴露后小鼠的逃避潜伏期明显增长,在目标象限的停留时间比明显减少,各组与对照组相比均有显著性差异,而组间比较无显著性变化.病理切片结果显示,ELF-MF组、铝负荷组和ELF-MF+铝负荷组大脑皮质和海马区神经细胞和椎体细胞数目都出现减少,排列紊乱.通过氧化应激指标检测发现,二者均可致脑组织与血清中SOD活性明显降低以及MDA含量明显升高.

结论:ELF-MF极低频磁场暴露与铝负荷单独或联合暴露均能够导致小鼠学习记忆障碍,其机制可能与氧化应激有关.


来源链接(http://d.wanfangdata.com.cn/Periodical/jsyxkxyyk201304002)
杂志截屏:




研究表明:极低频暴露能够导致小鼠学习记忆障碍

研究表明:极低频暴露能够导致小鼠学习记忆障碍


研究表明:ELF-MF极低频磁场暴露与铝负荷单独或联合暴露均能够导致小鼠学习记忆障碍,其机制可能与氧化应激有关.

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