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磁性随机存储器STT-MRAM的概述以及特征

转载 2015-04-22 17:18:34
标签: 磁性随机存储器 stt-mram hynix toshiba samsung

磁性随机存储器,简称STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence Random Access Menory),也叫自旋转移矩磁阻存储记忆体,是一种非易失性储存,其架构与传统MRAM相同,但耗电量更少,具备速度极快和耗电量低的优点,具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力。未来可望成为补充或者替代DRAM的产品之一。

STT-MRAM属于第2代MRAM技术,据说能够解决传统MRAM结构所存在的一些问题,STT-MRAM是众多竞相成为下一代通用存储器技术的方案之一,通用存储器是指下一代平台,能够满足各种不同应用的需求,并取代目前所使用的DRAM、SRAM和快闪存储器元件。

目前已经有多家半导体厂商在生产MRAM芯片产品,包括hynix、Toshiba、Everspin、Grandis、Crocus,而三星也表示2015开始生产。


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