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本设备中的安检门要解决的技术问题

(2015-12-28 10:26:57)

本设备中的安检门要解决的技术问题

更新时间:2015-12-25 16:24:07点击次数:122次字号:T|T
[0005]本设备中的安检门中的毒品爆炸物探测要解决的技术问题在于解决现有技术中离子迁移管存在体积大的缺陷,提供一种微型的离子迁移管的制作方法。
[0006]为解决上述技术问题,本设备中的安检门中的毒品爆炸物探测采用下述技术方案:
[0007]—种微型离子迁移管的制作方法,包括下述步骤:
[0008]在娃基衬底表面沉积金属电极;
[0009]对所述硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极;
[0010]提供一玻璃基片,并在所述玻璃基片上开设与所述叉指电极所在区域对应的孔;
[0011]将所述玻璃基片与所述硅基衬底粘合,且使所述叉指电极所在区域内嵌于所述孔中;及
[0012]将所述硅基衬底进行切割,以形成所需的所述离子迁移管。
[0013]在本实施中,在硅基衬底表面沉积金属电极具体为:通过光刻、金属蒸镀、剥离后在所述硅基衬底形成金属电极。
[0014]在本实施中,所述硅基衬底为N型掺杂硅基衬底,其电阻率小于0.01 Ω.Cm ;所述金属电极为A1,其厚度在-1500nm之间。
[0015]在本实施中,对所述硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极具体为:通过光刻形成刻蚀掩膜,利用所述掩膜对所述硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极。
[0016]在本实施中,所述刻蚀为反应离子深度刻蚀,所述刻蚀的气体为SF6和C4F8,所述刻蚀的深度为硅基衬底厚度。
[0017]在本实施中,在所述玻璃基片上开设与所述叉指电极对应的孔具体为:采用激光烧蚀工艺,在玻璃基片中形成孔,所述孔的位置与大小与所述叉指电极所在区域的位置与大小相适应。
[0018]在本实施中,所述玻璃基片为碱性玻璃基片。
[0019]在本实施中,将所述玻璃基片与所述硅基衬底粘合具体为:采用阳极键合工艺将所述玻璃基片与所述硅基衬底键合,其中,所述键合的压力2000N,电压500V。
[0020]采用上述技术方案,本设备中的安检门中的毒品爆炸物探测的有益效果在于:
[0021]本设备中的安检门中的毒品爆炸物探测上述实施例提供的离子迁移管的制作方法,在硅基衬底表面沉积金属电极,并对硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,将玻璃基片与硅基衬底粘合,且使叉指电极所在区域内嵌于孔中,根据需要将玻璃基片进行切片,以形成离子迁移管。本设备中的安检门中的毒品爆炸物探测利用硅基衬底与玻璃基片实现电绝缘的两对电极,并形成离子迁移通道,再根据实际需要将玻璃基片进行切片,形成离子迁移管,实现离子迁移管的微型化。
[0022]此外,本设备中的安检门中的毒品爆炸物探测上述实施例提供的离子迁移管的制作方法工艺简单,易于操作,对设备要求低,可大规模推广应用。

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