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去耦电容和旁路电容

(2011-09-02 23:31:51)
标签:

科技

旁路电容

高频

噪声

阻抗

杂谈

分类: 电容,电阻,晶振

详见:http://forum.eetchina.com/FORUM_POST_10012_1100010178_1.HTM

http://www.8ttt8.com/d/w1810.htm

旁路电容不是理论概念,而是一个经常使用的实用方法,在50 -- 60年代,这个词也就有它特有的含义,现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下工作,就在阴极对地串接一个电阻,利用板流形成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技术叫做“自偏”,但是对(交流)信号而言,这同时又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。

    去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于 10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取 0.01μF。

    一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去;容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的耦合干扰

    旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除;去藕是为保正输出端的稳定输出(主要是针对器件的工作)而设的“小水塘”,在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作;补充一点就是所谓的藕合:是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件

    有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

摘引自伦德全《电路板级的电磁兼容设计》一文,该论文对噪声耦和路径、去耦电容和旁路电容的使用都讲得不错。请参阅。

   从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。
   去耦电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是 0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。

1,耦合,有联系的意思。
2,耦合元件,尤其是指使输入输出产生联系的元件。
3,去耦合元件,指消除信号联系的元件。
4,去耦合电容简称去耦电容。
5,例如,晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗(这需要计算)这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。

去耦和旁路都可以看作滤波。正如ppxp所说,去耦电容相当于电池,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大,对更高频率的噪声,基本无效。旁路电容就是针对高频来的,也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率,会发生谐振,此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图,就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关,所以选择旁路电容还要考虑电容的介质,一个比较保险的方法就是多并几个电容。

我们在画电路的交流等效图时,认为电源的正负极是连在一起的。但是实际上中间还隔了一个电源内阻。在这里并上一个合适的电容。就可以看成是真正的消除了电源内阻的影响,以至于前后级电路不会通过电源干扰。

去耦电容是电路中防止前后级电路的干扰信号通过电源相互串扰,相当于滤波作用。
在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。

对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling,也称退耦)电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。
在供电电源和地之间也经常连接去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。


去耦电容由C1、C2、C3并联分别承担低频、高频交流成分滤波的任务。电解电容C1一般容量较大,在低频时能提供好的通路,而在高频时由于其寄生电感的存在阻抗将变大无法提供滤波通路,这里取10uF;陶瓷电容C2由于其容量一般较小,所以在低频时阻抗较大无法提供滤波通路,而在高频时阻抗变小则会有很好的滤波特性,这里取0.1uF;这样可以看出C1、C2的滤波特性是互补的,需要同时利用才能得到较宽频的有效滤波范围。当然,如果需要更宽的滤波频段还可用更多不同类型的电容并联得到,如这里的C3,取0.01uF。 电源线要尽可能宽,使阻抗降低,减小尖峰效应。去耦一定要好,数模电源
一定要分开,分别把高质量的陶瓷去耦电容尽可能近的接到各自引脚。这里再介绍一下电源去耦电路参数的选择:

C1的选择:c1=K*I*tr/U,这里
假设电源提供电流为I,则
K通常取10,是经验比例。
参数含义见图11。(抱歉,图沾不上)
一般应用时取电容标称值在计算值 附近就可以了。
C2的选择:
C2为高频陶瓷电容,一般在0.1uF以下取值。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别,不知道前面诸位仁兄为何不提这个。

所谓“去耦”的得名,前面已经说的非常清楚;
所谓“旁路”,就是给高频噪声一条低阻的释放途径。有点马其诺防线的意思。


本文来自CSDN博客,转载请标明出处:http://blog.csdn.net/bird67/archive/2009/04/11/4064925.aspx


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