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高压陶瓷电容

(2011-08-12 10:15:05)
标签:

陶瓷电容

电容器

钛酸钡一氧化钛

电气性能

包括高频在内

杂谈

分类: 电容,电阻,晶振

高压陶瓷电容是指应用于高电压系统的瓷介质电容器。

高压陶瓷电容的介质介绍

  •   COG/NPO:   属1类陶介质,电气性能最稳定,基本上不随温度、时间、电压的改变而改变,适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合,由于电气性能稳定,高频特性好,可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。

      X7R:       属2类陶介质,电气性能较稳定,随温度、时间、电压的变化,其特性变化并不明显,适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHZ的中频场合。

      Y5V:       属3类陶介质,具有很高的介电系数,常用于生产小体积、大容量的电容,其容量随温度改变比较明显,抗恶劣环境能力差,仍用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

高压陶瓷电容的原理

  •   用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

高压陶瓷电容的介质特性参数

  •   项  目COG/NPOX7RY5V

      温度特性0+[_]30PPM/℃+[_]15[%]+30[%]--82[%]

      环境温度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃

      精度范围C、D、F、G、J、KK、MZ

      绝缘电阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ

      损耗高校正切≥30PF:≤1/100000 ≤30PF:Q=400+20*C50V≤2.5[%];25≤3[%] 16V≤3.5[%];10V≤5[%]50V≤3.5[%];25≤5[%] 16V≤7[%];10V≤10[%]

      抗电强度2.5倍VDCW2.5倍VDCW2.5倍VDCW

      测试条件25℃、1MHZ、1V25℃、1KHZ、1V25℃、1KHZ、03V

高压陶瓷电容的功能特点

  •   高压陶瓷电容容体比很小,串联电阻小,电感值小,频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高(频率可达500MHz)的场合,用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱,因此不能将它随便跨接在低阻电源线上,除非是特殊设计的。

CC1型(高频低压):材料CH(NPO)、PH(N150)、RH(N220)、SH(N330)、TH(N470)、UJ(N750)、SL(SL);容量在0.5PF~~~~820PF;
CT1型(低频低压):2B4(Y5P)、2E4(Y5U)、2E5(Z5U)、2F4(Y5V)、2F5(Z5V);容量在220PF~~22000PF;
CT81型(低频高压):2B4、2E4、2F4、2R4(Y5R);容量在100PF~~47000PF;
CC81型(高频高压):SL、YL(N3300);容量在10P~~560P;
CS1型(半导体类):材料:3B4、3E4、3F4,容量在10000PF~~220000PF.

 

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