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什么是外延片?

(2009-06-05 09:57:47)
标签:

led技术

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led新光源

it

分类: LED基础知识

半导体制造商主要用抛光Si片(PW)和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它

具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面

缺陷。
     历史上,外延片是由Si片制造商生产并自用,在IC中用量不大,它需要在单晶Si片表面上沉积一薄

的单晶Si层。一般外延层的厚度为2~20μm,而衬底Si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)


     外延沉积既可(同时)一次加工多片,也可加工单片。单片反应器可生产出质量最好的外延层(厚

度、电阻率均匀性好、缺陷少);这种外延片用于150mm“前沿”产品和所有重要200 mm产品的生产。
    外延产品
     外延产品应用于4个方面,CMOS互补金属氧化物半导体支持了要求小器件尺寸的前沿工艺。CMOS产品

是外延片的最大应用领域,并被IC制造商用于不可恢复器件工艺,包括微处理器和逻辑芯片以及存储器应

用方面的闪速存储器和DRAM(动态随机存取存储器)。分立半导体用于制造要求具有精密Si特性的元件。

“奇异”(exotic)半导体类包含一些特种产品,它们要用非Si材料,其中许多要用化合物半导体材料并

入外延层中。掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的。
     目前,200 mm晶片中,外延片占1/3。2000年,包括掩埋层在内,用于逻辑器件的CMOS占所有外延片

的69%,DRAM占11%,分立器件占20%。到2005年,CMOS逻辑将占55%,DRAM占30%,分立器件占15%。
    市场动力
     上世纪90年代中期,CMOS外延片用量增加的趋势已经出现。1997~1998年间,半导体“滑坡”,IC

公司按器件工艺“蓝图”(最小线宽缩小速率)更好利用Si表面“现实”状态。无线和因特网应用的急剧

增长,推动200mm和300mm晶片工艺向0.18μm及更小尺寸方面发展,其中许多(器件)并入了复杂的单芯

片/一个芯片上的系统。为达到所需器件性能和成本率目标,外延片优于抛光片,因为外延片的缺陷密度

低、吸杂性能好,电学性能(如锁存效应)也好,且易于制造。外延片让器件制造商很自然地由200mm晶

片过渡到300mm晶片而不必改变设计从而节省了时间和投资。
     随着工艺上倾向于重视外延片,市场上相应地增加了CMOS器件用外延片的供应。1996年前,外延片

价格明显高于抛光片,这就妨碍了它作为IC原材料的使用。相应于90年代晶片出现短缺,Si片制造商纷纷

扩大其生产能力,但这又受到1996~1998年间工业萧条的打击:于是出现供过于求,导致Si价格大幅下滑

,2~3年间,下降50%。收入剧减,加之难以降低生产成本,迫使晶片制造商缩减扩产计划、推迟300mm进

程,减少研发投资以降低成本。1996年,晶片制造商投资其收入的55%用于扩大生产能力,到2000年,则

减少到小于10%。
     这些市场压力使晶片制造商降低外延片的价格,使许多IC制造商转向使用150 mm和200 mm外延片,

这可使他们从外延片所显示的“产权成本/性能比”优势中获益。2000年,直径200 mm外延片价格比相同

直径抛光片高20%~30%,而在90年代中期,外延片价格要高出50%。
     虽然过去两年IC市场稳步增长,但晶片制造商生产能力未跟上,晶片显得供不应求。下一代200 mm

和300 mmPW要求采用新的生长工艺,而这会大大降低成品率、减少产量。IC和器件工艺发展(最小线宽减

小,缺陷密度、吸杂及晶体原生颗粒,COP等问题)与现实的低成本晶片的缺乏不相一致,这样,是选择

抛光片还是外延片就提到日程上来了。代替抛光片的办法包括经H2和Ar气氛中退火的晶片,在成本、制造

重复性和产品性能方面,这两种办法是有效的。外延片需要大批量晶体进行加工,这可使晶片制造商扩大

现行衬底生产能力而很少甚至不需要添加另外的设备。(东芝陶瓷信越半导体、MEMC电子材料公司,瓦克

Siltronic公司等)晶片制造商已提出若干新的外延工艺以解决COP和吸杂问题,同时要努力降低成本和提

高产量。
    采用外延片可能存在的问题
     由于工业发展的周期性起伏和可变性,准确预测半导体市场是困难的。同样,预测CMOS用外延片的

增长受到若干因素的影响,主要有:1)市场疲软导致Si 片过剩,这使晶片制造商收入下降,因而限制甚

至取消另外投资外延片生产计划,而外延片供应不足或缺乏,又使IC厂转而使用抛光片。与无线及因特网

相关产品需求下降也会减少对外延片的需求。2)外延片没有产权成本优势,相对于抛光片也没有成品率

或性能方面的“好处”,从而不能保证得到较高的“取得成本”(acguisition cost)200 mm和300 mm产

品,如能成功(地解决某些质量问题)就无需利用外延片。
    将来的市场
     虽然市场疲软,但外延片所受冲击可望很小,200 mm晶片在2000年第3季度,达到供/需平衡,2000

年间任一方面市场增长都会导致求过于供,即将出现的晶片短缺的程度则难以确定,晶片厂不愿意甚至不

能扩大生产(包括外延片生产)会造成外延片供应紧张。200 mm晶片需求预测表明:与2000年比,2005年

的需求量会扩大40%~60%,(7百万~8百万片/月)甚至100%(1千万片/月),在此期间,200 mm外延片

由38%用量增长到50%;300 mm晶片开始使用时,外延片可望占到~70%。
     今天许多高增长率产品,由于有较高的性能要求而需采用外延片。单片外延片生产比较复杂,因为

先进的分立器件(150 mm)和150 mm/200 mm前沿产品受到(晶片)生产能力的限制。如果能证明外延片

相对于先进的PW(如氢或氩气退火片)具有产权成本方面的优势,那么作为下一代200 mm、300 mm产品的

材料,其地位是稳固的。可以说,将来外延片需求量会有强劲增长,唯一的问题是供应不足。

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