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Everspin开始生产1GbSTT-MRAM基于格罗方德28nm工艺

(2019-06-25 10:28:57)
标签:

everspin

电子元器件采购网

28nm工艺

分类: 电子元器件

本文由电子元器件采购网分享,Everspin 近日宣布,其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器,去年 12 月的时候,其已发布了首批预生产样品。

Everspin开始生产1Gb STT-MRAM基于格罗方德28nm工艺

新MRAM 器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的 28nm 工艺制造,与当前的40nm256Mb器件相比,其在密度和容量方面有了重大的进步。预计今年下半年的时候,其产能会开始增加。

新器件提供了8 / 16-bit 的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为 DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。

低容量的特性,使得MRAM组件更适用于嵌入式系统,其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的 DDR 控制器。

据悉,最新的1Gb容量STT-MRAM 扩大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。

当然,我们并不指望 MRAM 专用存储设备可以迅速在市面上普及(SSD 或 NVDIMM)。毕竟市面上的混合型 SSD,仍依赖于 NAND 闪存作为主要存储介质。

目前行业内已通过 MRAM 来部分替代 DRAM,比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模块,以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。

需要指出的是,尽管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技术的公司,但它们却是分立式 MRAM 器件的唯一供应商。

作为与格罗方德合作生产的第二款分立型 MRAM 器件,他们还在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工艺路线图中嵌入了 MRAM 。

鉴于该工厂取消了 7nm 和更低制程的计划,包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。

以上就是Everspin开始生产1Gb STT-MRAM基于格罗方德28nm工艺,希望对各位有帮助。

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