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MOSFET-Vdss的温度特性分析-KIAMOS管

(2020-08-04 17:41:11)
标签:

场效应管

mos管参数

分类: MOS管
功率MOSFET-Vdss温度特性分析

由图可知MSOFET耐压随温度升高而增加。 为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加,即呈现正温度系数呢?
MOSFET-Vdss的温度特性分析-KIAMOS管

这是半导体硅材料的特性所决定的!MOS管是单子导电机理!载流子只有电子,温度升高,沟道电阻增加,电子迁移减少,电流变小!故耐压会增加!MOS管是单子导电机理!载流子只有电子,沟道夹断,电子无法通过沟道导通,单外延层中低参杂PN结中的电子迁移很小,温度升高,这种飘移电流变小!故其反向截止的损耗减小,雪崩能量增加,耐压也增加!当然在这里要做一下分类,其实半导体材料在温度升高时,其内能是增加的,即电子的活性是增加的,单就PN结在反向截止是存在一个耗尽区,这个耗尽区的宽度和载流子的活性决定了耐压!这个耐压和参杂程度,PN界面形状,界面面积都有关!所以不同的参杂程度,不同的界面形状,界面面积就可以造就不同耐压,不同电流,不同性能的器件,如二极管,稳压管,包括MOS管,仅就MOS管,其不同的界面形状就造就了平面管,沟槽管,超深工艺的超极管!

为什么二极管的反向耐压是随温度变高而降低了,Mosfet耐压是温度升高而增加呢?

两种器件的导电机理是不一样的!二极管是双子导电,是空穴和电子同时迁移产生电流!二极管的反向漏电流是随温度上升而增加的!故温度越高反向漏电流越大,损耗迅速增加最后雪崩击穿!MOS管是单子导电机理!载流子只有电子,温度升高,沟道电阻增加,电子迁移减少,电流变小!故耐压会增加!故双极型器件(双子载流)的反向漏电流要比MOS型器件大!

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