加载中…MOS管的作用是做什么-MOS管的作用关键重点
(2019-01-03 14:48:49)
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分类： MOS管 |
MOS管的作用
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide
Semiconductor Field Effect
Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
一、MOS管的性能参数有哪些
优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。
二、MOS管的主要参数
(1) 开启电压VT
：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)
(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使
ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)
(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS =
0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为
0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。
(5) 低频跨导 gm
：表示VGS对iD的控制作用。
(6) 最大漏极电流 IDM
(7) 最大漏极耗散功率 PDM
(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压
V(BR)GS
三、MOS管的作用是什么
目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
四、MOS管的开关作用
（1）信号切换
（2）电压通断
小结：
（1）信号切换用NMOS管：Ug比Us大3V-5V即可，实际上只要导通即可，不必饱和导通；常见：2N7002、2N7002E、2N7002K、2N7002D、2N7301N。
（2）电压通断用NMOS管：Ug比Us应大10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。常见有：AOL1448、AOL1448A、AON7406、AON7702、RJK03B9DP。
PMOS管则和NMOS管条件刚好相反。
（3）MOS管开关时在电路中的连接方法
NMOS管：D极接输入，S极输出；
PMOS管：S极接输入，D极输出；
输入至输出的方向和寄生二极管的方向相反。
五、MOS管的隔离作用
MOS管的隔离作用就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二极管。使用二极管导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，让MOS管饱和导通，通过电流时MOS管几乎不产生压降。
有外部适配器接入时，适配器供电；没有外部适配器接入时，电池供电。
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