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谢先斌
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dmos

(2012-12-02 11:31:07)
标签:

dmos

mos

dram

主存储器

ram

杂谈

分类: Windows/Server
  DMOS与CMOS器件结构类似,也有源、漏、栅等电极,但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。
  DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的,DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS器件,其中一个最主要的考察参数是导通电阻,用R ds(on)表示。导通电阻是指在器件工作时,从漏到源的电阻。对于 LDMOS器件应尽可能减小导通电阻,就是BCD(Bipolar-CMOS-DMOS,双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体)工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时,器件就会提供一个很好的开关特性,因为漏源之间小的导通电阻,会有较大的输出电流,从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有:导通电阻、阈值电压、击穿电压等。
  在功率应用中,由于DMOS技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管),因此具有很多优点,包括高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。

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