本文来源于又得浮生一日凉 http://www.xieshil.com , 原文地址：http://www.xieshil.com/post/50127.htm

写在前面：本文主要参考的是小木虫上的资料，严格的说是将小木虫上相关的资料整理得到的，在这里对各位虫友表示感谢。

首先要明确以下两个概念：空位的概念是固体结构化学或材料学中的，指的是晶格格位无应有原子之结构；空穴的概念是固体及半导体物理中的，指的是一电子相对应的带正电荷的载流子。
在一定的外界处理条件下，导致晶体中氧缺失，形成氧空位，缺陷方程可以表示为O=1/2O2+Vo；不同情况下，导致氧空位Vo的电离，释放出一个或者两个电子，缺陷方程为Vo=Vo+ + e-，Vo+=Vo++ + e-，总的缺陷方程为：O=1/2O2 + Vo++ +2e-

从缺陷方程可以看出，氧空位带正电；另外也可以这样认为，当O失去形成空位时，留下两个电子，如果这两个电子是自由的，不在原来氧的位置，则该位置在相应的结构环

一般以重铬酸钾为氧化剂，将邻苯二甲酸氢钾完全氧化的COD值为1.1768氧／克。如果换成葡萄糖，则为1.0667。与氧气一反应，再换算一下就行了。

发个计算公式供大家参考吧
http://files.instrument.com.cn/bbs/upfile/20062516721.gif
公式里C、H、O分别表示分子式中的C、H、O原子个数
如葡萄糖分子式C6H12O6,代入公式计算得COD系数1.0667，即1mg/L 葡萄糖相当于1.0667mg/L COD。

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首先要明确以下两个概念：空位的概念是固体结构化学或材料学中的，指的是晶格格位无应有原子之结构；空穴的概念是固体及半导体物理中的，指的是一电子相对应的带正电荷的载流子。
在一定的外界处理条件下，导致晶体中氧缺失，形成氧空位，缺陷方程可以表示为O=1/2O2+Vo；不同情况下，导致氧空位Vo的电离，释放出一个或者两个电子，缺陷方程为Vo=Vo+ + e-，Vo+=Vo++ + e-，总的缺陷方程为：O=1/2O2 + Vo++ +2e-

从缺陷方程可以看出，氧空位带正电；另外也可以这样认为，当O失去形成空位时，留下两个电子，如果这两个电子是自由的，不在原来氧的位置，则该位置在相应的结构环

一般以重铬酸钾为氧化剂，将邻苯二甲酸氢钾完全氧化的COD值为1.1768氧／克。如果换成葡萄糖，则为1.0667。与氧气一反应，再换算一下就行了。

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公式里C、H、O分别表示分子式中的C、H、O原子个数
如葡萄糖分子式C6H12O6,代入公式计算得COD系数1.0667，即1mg/L 葡萄糖相当于1.0667mg/L COD。