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mos管为什么具有放大

分类: MOS管
MOS管为什么具有放大的能力

MOS管就是场效应管,场效应管是一种重要电子元件,现在被广泛使用,他具有和以前的电子管一样的特性,是一种电压控制元件,依靠电压信号进行放大,原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性.场效应管具有三个接脚.

MOS管为什么具有放大的能力

MOS管能起放大作用的条件是什么解法?

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mos管驱动电阻选择

分类: MOS管
MOS管驱动电阻选择

MOS管驱动电阻选择方法及电路中的注意事项
MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻

首先得知道输入电容大小和驱动电压大小,等效为电阻和电容串联电路,求出电容充电电压表达式,得出电阻和电容电压关系图

MOS管的开关时间要考虑的是Qg的,而不是有Ciss,Coss决定,看下面的Data.一个MOS可能有很大的输入电容,但是并不代表其导通需
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场效应管的优点

分类: MOS管
场效应管最大的优点

1、场效应管是另一种半导体放bai大器件。在场效应管中只是多子参与du导电,故称为单极型zhi三极管;而普通三极管参与导电的,既有多数载流子,又有少数载流子,故称为双极型三极管。由于少数载流子的浓度易受温度的影响,因此,在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。

2.双极型三极管是电流控制器件,通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此,基极总有一定的电流,故三极管的输人电阻较低;场效应管是电压控制器件,其输出电流决定于栅源极之间的电压,栅极基本上不取电流,因此,它的输入电阻很高,可达10^9~10^14Ω。高输入电阻场效应管的优点。

3.场效应管的漏极和源极可以互换,耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负,灵活性比双极型三极管强。

4.场
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mos管

三极管

分类: MOS管
MOS管和三极管原理图对比分析

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助。我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大。MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同。

“MOS管和三极管原理图”

关于三极管和MOS管的区别,简单总结了几句话便当大家理解。

从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管
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mos管

开关电源

分类: MOS管
人们对开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开MOS管关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高,每秒钟开关管改变状态的次数就越多,开关损耗也就越大。这次就来弄清楚在每次开关转换过程中所发生事件的基本时序。

一.开关损耗
(一).阻性负载时的开关转换过程:


MOS管开关电源
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mos管测试好坏

分类: MOS管
用万用表去检测MOS管好坏的方法,这里以N沟道增强型场效应管(N MOS管)为例给大家场效应管的种类很多。

MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧,随着电子行业飞跃式的发展,MOS管的需求量也越来越大,就在此时一批批MOS管生产厂家如雨后春笋般涌现到我们的眼前,他们的出现瞬间使得MOS管的质量的急速下滑,由于这些厂家的技术不成熟,而且当中也掺杂了许多山寨的MOS管,一时之间让采购无法准确的去辨别MOS管的好坏,一不小心就可能误入到MOS管采购的误区,那么究竟如何检测MOS管的好坏那,读完下文,相信你采购就不用担心。

一、用测电阻法判别MOS管的电极

根据
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mos管开关公式

分类: MOS管
人们对MOS管开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。

一、 MOS管损耗
MOS管是开关电源中常见器件之一,在评估开关电源效率的时候,对于MOS管的选型十分重要,如果选择的MOS不合适,电路该部分的发热会非常严重,影响效率。因此,在考虑到设计开关电源的效率时,MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。

二、MOS管的损耗来源
(1)MOS开关损耗
MOS在开关电源中用作开关器件,顾名思义,MOS会经常的开通和关断。由于电压和电流都是模拟量,这个世界也是模拟的世
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mos管参数

分类: MOS管
我们打开一个MOS管的SPEC,会有很多电气参数,今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。

热阻,英文Thermal resistance,指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是/W或者是K/W。

半导体散热的三个途径,封装顶部到空气,封装底部到电路板,封装引脚到电路板。

结到空气环境的热阻用ThetaJA表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P

其中Tj为芯片结温,Ta为芯片环境温度,如下图所示。
mos管参数
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mos管频率

分类: MOS管
MOS管开关频率如何测算
MOS管在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

以IRF840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关,与门极充电达到的电压有关(实际上门极电容并不是线性电容),不太准确的估计,可以把门极电容放电时间估计为63us的2倍,即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小(首帖图中为3千欧),估计充电时间为0.06ms。那么充电放电时间一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关工作频率为5.5kHz。

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mos管开关

分类: MOS管
MOS管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。

我们经常看MOS管的PDF参数,M
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