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怎样区分eos和esd
eos失效现象
esd失效现象
esd失效来源
eos失效来源
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分类：
产品测试
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怎样判断集成电路失效是由EOS还是ESD引起的？
在电子器件组装过程中，EOS(Electrical Over Stress)与 ESD（Electrical Static
Discharge）造成的集成电路失效约占现场失效器件总数的50%，且通常伴随较高不良率以及潜在可靠性问题，是产线一大杀手。
当问题发生时，应该如何查找真因、寻找解决方案，一直以来都是工程师的难题。集成电路失效分析实验室，通过多年的行业积累，总结出一套相对完整的针对EOS/ESD的分析方法，通过失效分析、模拟验证等手段，可以更好地协助工程师提升产线良率及IC的可靠性。
产线失效到底是由EOS还是ESD引起？
做失效分析时，最希望知道root
cause是EOS还是ESD，确认失效机理及真因，是改善良率的第一步，也是非常关键的一步。我们区分EOS还是ESD会首先通过失效分析手法挖掘IC的物理失效现象，然后从现象上去区分。
常见ESD物理失效表现：衬底击穿、多晶硅熔融、GOX pin hole、contact melted、metal
melted等（图1），
常见EOS物理失效表现：氧化层、金属层大面积熔融以及封装体碳化等现象（图2）。
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tsc0511g-2018洒水试
tsc0511g洒水试验
tsc0511g防水试验
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分类：
产品测试
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TSC0511G-2018 8.10 Water Resistance Test for Conditions R and
S 防水洒水试验,试验条件，试验时间。
洒水试验
1 试验条件
1.1 试验依据：TSC0511G-2018第8.10章节中Table 23 for Conditions R and
S
Table 23
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Condition 条件
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喷嘴直径（mm）
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水压(MPa)
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水量(L/min)
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水温()
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测试时间（min）
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R
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10
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0.01
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1.9
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常温
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10
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S
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aec-q100-004
闩锁试验latch-up
高温闩锁试验
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分类：
产品测试
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AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-004室温闩锁试验Latch-up,AEC-Q100-004高温闩锁试验Latch-up
1. 室温闩锁试验(Latch-up)
1.1 测试信息
样品数量:
1个批次；共 3 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-004
触发电流:±50mA ～±200mA; 电流步进: ± 50mA
电压测试设定值:最大工作电压+1.5倍
脉冲宽度:10 ms
通过等级:通过等级I-A (室温, ±200mA/+1.5倍最大工作电压)
测试温度:室温
测试确认:芯片功能/性能测试
合格判据：测试前后IC工作电流改变量不超过10毫安或者1.4倍（二者相比取大）
1.2 设备与仪器
集成电路抗人体静电测试系统
2. 高温闩锁试验(Latch-up)
2.1试验信息
样品数量:
1个批次；共 3 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-004
触发电流:± 50mA ～± 200mA; 电流步进: ± 50 mA
电压测试设定值:最大工作电压+1.5倍
脉冲宽度:10 ms
通过等级:通过等级II-A (高温+
标签：
aec-q100-002
esd-hbm
esd-cdm
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分类：
产品测试
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AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-002静电放电人体模型ESD-HBM,AEC-Q100-011静电放电充电装置模型ESD-CDM
1. 静电放电人体模型(HBM)
1.1 试验信息
样品数量:1个批次；共 12 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-002
脉冲次数:1 次
脉冲间隔:0.3 秒
测试电压:±500V/±1000V/±2000V
通过等级分类:通过等级H1C (±2000V)
测试脉宽:不适用
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温和高温进行电测。）/I-V曲线对比
合格判据：测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%
1.2 仪器与设备
集成电路抗人体静电测试系统
1.3 ESD-HBM 测试等级分类
标签：
mcuaec-q100
jesd22-b102可焊性测
jedecjesd22-b100物理
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分类：
产品测试
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AEC-Q100案例之通用MCU JESD22-B102可焊性测试SD,JEDEC JESD22-B100
JESD22-B108物理尺寸PD
1. 可焊性测试(SD)
1.1 测试信息
样品数量:1个批次；共 15 颗待测芯片
参考方法:JESD22-B102
预处理 :蒸汽老化: 93/ 8小时; 干燥: 100/ 40 min
焊锡成份:SAC305 (Sn96.5Ag3Cu0.5)
焊锡温度:245±5
测试确认:不适用(无需做芯片功能/性能测试)
合格判据:所有端子应当呈现连续的焊料涂层，任何单个端子至少有95%关键区域应当无缺陷
1.2设备与仪器
可焊性测试仪
晶体振荡器高温老化测试系统
蒸汽老化试验机
测量显微镜
2. 物理尺寸(PD)
2.1 测试信息
样品数量:每批10颗，3批次；共30颗待测芯片
参考方法:JEDEC JESD22-B100; JESD22-B108
电源要求:未上电
合格判据：依照产品规格书
2.2 设备与仪器
超高解析3D显微镜
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键合金球剪切测试
wbs
键合金球拉力测试
wbp
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分类：
产品测试
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AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-001-Rev-C键合金球剪切测试WBS,MIL-STD-883K 方法
2011.10键合金球拉力测试WBP
1. 键合金球剪切测试(WBS)
1.1 测试信息
样品数量:
30个键合线测试，共5个器件
参考方法:AEC-Q100-001-Rev-C
测试确认:不适用(无需做芯片功能/性能测试)
测试点:每个器件选取6个键合线
合格判据：开封后测试, 按照PPAP,要求大于多少g(由客户确认)
1.2 设备与仪器
推拉力测试机
超景深三维显微镜
2. 键合金球拉力测试(WBP)
2.1 测试信息
样品数量:30个键合线测试，共5个器件
参考方法:MIL-STD-883K 方法 2011.10
测试确认:不适用(无需做芯片功能/性能测试)
测试点:每个器件选取6个键合线
合格判据：开封后测试, 按照PPAP,要求大于多少g(由客户确认)
2.2 设备与仪器
推拉力测试机
超景深三维显微镜
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非易失性存储耐久试验
edr-htdr
edr-ltdr
aec-q100-005
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分类：
产品测试
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AEC-Q100案例之通用MCU非易失性存储耐久试验(数据保持）AEC-Q100-005 EDR-HTDR及
AEC-Q100-005 EDR-LTDR
1. 非易失性存储耐久试验(数据保持）(EDR-HTDR)
1.1 测试信息
样品数量:每批80颗，3批次；共240颗待测芯片（实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling
Test）
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +105
测试时间:1000小时
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温、高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
1.2 设备与仪器
双层式高温试验箱
2. 非易失性存储耐久试验(数据保持）(EDR-LTDR)
2.1 测试信息
样品数量:每批80颗，3批次；共240颗待测芯片（实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling
Test）
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +25
测试时间:1000小时
测试确 :芯片功能/性能测试（试验前后在室温、高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能
标签：
jedecjesd22-a108
aec-q100-rev-h
高温工作寿命试验htol
早期失效率试验elfr
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分类：
产品测试
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AEC-Q100案例之通用MCU,JEDEC
JESD22-A108高温工作寿命试验HTOL,HTOL_AEC-Q100-Rev-H早期失效率试验ELFR
1. 高温工作寿命试验(HTOL)
1.1 测试信息
样品数量:每批77颗，3批次；共231颗待测芯片
参考方法:JEDEC JESD22-A108
电源要求:设置电压偏置
测试温度:Ta = +105(等级: 2)
测试时间:1000小时
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温、低温和高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
1.2 设备与仪器
高温寿命测试机
2. 早期失效率试验 (ELFR)
2.1 测试信息
样品数量:每批800颗，3批次；共2400颗待测芯片
参考方法:AEC - Q100-Rev-H
电源要求:设置电压偏置
测试温度:
Ta = +125(等级:2)
测试时间:48小时
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温和高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
2.2 设备与仪器
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