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杜飞
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怎样区分eos和esd

eos失效现象

esd失效现象

esd失效来源

eos失效来源

分类: 产品测试
怎样判断集成电路失效是由EOS还是ESD引起的?
在电子器件组装过程中,EOS(Electrical Over Stress)与 ESD(Electrical Static Discharge)造成的集成电路失效约占现场失效器件总数的50%,且通常伴随较高不良率以及潜在可靠性问题,是产线一大杀手。
当问题发生时,应该如何查找真因、寻找解决方案,一直以来都是工程师的难题。集成电路失效分析实验室,通过多年的行业积累,总结出一套相对完整的针对EOS/ESD的分析方法,通过失效分析、模拟验证等手段,可以更好地协助工程师提升产线良率及IC的可靠性。

产线失效到底是由EOS还是ESD引起?
做失效分析时,最希望知道root cause是EOS还是ESD,确认失效机理及真因,是改善良率的第一步,也是非常关键的一步。我们区分EOS还是ESD会首先通过失效分析手法挖掘IC的物理失效现象,然后从现象上去区分。
常见ESD物理失效表现:衬底击穿、多晶硅熔融、GOX pin hole、contact melted、metal melted等(图1),
常见EOS物理失效表现:氧化层、金属层大面积熔融以及封装体碳化等现象(图2)。
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tsc0511g-2018洒水试

tsc0511g洒水试验

tsc0511g防水试验

分类: 产品测试
TSC0511G-2018 8.10 Water Resistance Test for Conditions R and S 防水洒水试验,试验条件,试验时间。
洒水试验
1 试验条件
1.1 试验依据:TSC0511G-2018第8.10章节中Table 23 for Conditions R and S
Table 23
Condition 条件
喷嘴直径(mm)
水压(MPa)
水量(L/min)
水温()
测试时间(min)
R
10
0.01
1.9
常温
10
S
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aec-q100-004

闩锁试验latch-up

高温闩锁试验

分类: 产品测试
AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-004室温闩锁试验Latch-up,AEC-Q100-004高温闩锁试验Latch-up
1. 室温闩锁试验(Latch-up)
1.1 测试信息
样品数量:
1个批次;共 3 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-004
触发电流:±50mA ~±200mA; 电流步进: ± 50mA
电压测试设定值:最大工作电压+1.5倍
脉冲宽度:10 ms
通过等级:通过等级I-A (室温, ±200mA/+1.5倍最大工作电压)
测试温度:室温
测试确认:芯片功能/性能测试
合格判据:测试前后IC工作电流改变量不超过10毫安或者1.4倍(二者相比取大)
1.2 设备与仪器
集成电路抗人体静电测试系统

2. 高温闩锁试验(Latch-up)
2.1试验信息
样品数量:
1个批次;共 3 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-004
触发电流:± 50mA ~± 200mA; 电流步进: ± 50 mA
电压测试设定值:最大工作电压+1.5倍
脉冲宽度:10 ms
通过等级:通过等级II-A (高温+
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aec-q100-002

esd-hbm

esd-cdm

分类: 产品测试
AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-002静电放电人体模型ESD-HBM,AEC-Q100-011静电放电充电装置模型ESD-CDM
1. 静电放电人体模型(HBM)
1.1 试验信息
样品数量:1个批次;共 12 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-002
脉冲次数:1 次
脉冲间隔:0.3 秒
测试电压:±500V/±1000V/±2000V
通过等级分类:通过等级H1C (±2000V)
测试脉宽:不适用
测试确认:芯片功能/性能测试(试验前后在室温和高温进行电测。)/I-V曲线对比
合格判据:测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%
1.2 仪器与设备
集成电路抗人体静电测试系统
1.3 ESD-HBM 测试等级分类
等级
电压范围 (V)
H0
≤ 250
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mcuaec-q100

jesd22-b102可焊性测

jedecjesd22-b100物理

分类: 产品测试
AEC-Q100案例之通用MCU JESD22-B102可焊性测试SD,JEDEC JESD22-B100 JESD22-B108物理尺寸PD
1. 可焊性测试(SD)
1.1 测试信息
样品数量:1个批次;共 15 颗待测芯片
参考方法:JESD22-B102
预处理 :蒸汽老化: 93/ 8小时; 干燥: 100/ 40 min
焊锡成份:SAC305 (Sn96.5Ag3Cu0.5)
焊锡温度:245±5
测试确认:不适用(无需做芯片功能/性能测试)
合格判据:所有端子应当呈现连续的焊料涂层,任何单个端子至少有95%关键区域应当无缺陷
1.2设备与仪器
可焊性测试仪
晶体振荡器高温老化测试系统
蒸汽老化试验机
测量显微镜

2. 物理尺寸(PD)
2.1 测试信息
样品数量:每批10颗,3批次;共30颗待测芯片
参考方法:JEDEC JESD22-B100; JESD22-B108
电源要求:未上电
合格判据:依照产品规格书
2.2 设备与仪器
超高解析3D显微镜

本文参考链接:
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键合金球剪切测试

wbs

键合金球拉力测试

wbp

分类: 产品测试
AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-001-Rev-C键合金球剪切测试WBS,MIL-STD-883K 方法 2011.10键合金球拉力测试WBP
1. 键合金球剪切测试(WBS)
1.1 测试信息
样品数量:
30个键合线测试,共5个器件
参考方法:AEC-Q100-001-Rev-C
测试确认:不适用(无需做芯片功能/性能测试)
测试点:每个器件选取6个键合线
合格判据:开封后测试, 按照PPAP,要求大于多少g(由客户确认)
1.2 设备与仪器
推拉力测试机
超景深三维显微镜

2. 键合金球拉力测试(WBP)
2.1 测试信息
样品数量:30个键合线测试,共5个器件
参考方法:MIL-STD-883K 方法 2011.10
测试确认:不适用(无需做芯片功能/性能测试)
测试点:每个器件选取6个键合线
合格判据:开封后测试, 按照PPAP,要求大于多少g(由客户确认)
2.2 设备与仪器
推拉力测试机
超景深三维显微镜

本文参考链接:
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非易失性存储耐久试验

edr-htdr

edr-ltdr

aec-q100-005

分类: 产品测试
AEC-Q100案例之通用MCU非易失性存储耐久试验(数据保持)AEC-Q100-005 EDR-HTDR及 AEC-Q100-005 EDR-LTDR
1. 非易失性存储耐久试验(数据保持)(EDR-HTDR)
1.1 测试信息
样品数量:每批80颗,3批次;共240颗待测芯片(实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test)
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +105
测试时间:1000小时
测试确认:芯片功能/性能测试(试验前后在室温、高温分别进行电测。)
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
1.2 设备与仪器
双层式高温试验箱

2. 非易失性存储耐久试验(数据保持)(EDR-LTDR)
2.1 测试信息
样品数量:每批80颗,3批次;共240颗待测芯片(实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test)
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +25
测试时间:1000小时
测试确 :芯片功能/性能测试(试验前后在室温、高温分别进行电测。)
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能
标签:

jedecjesd22-a108

aec-q100-rev-h

高温工作寿命试验htol

早期失效率试验elfr

分类: 产品测试
AEC-Q100案例之通用MCU,JEDEC JESD22-A108高温工作寿命试验HTOL,HTOL_AEC-Q100-Rev-H早期失效率试验ELFR
1. 高温工作寿命试验(HTOL)
1.1 测试信息
样品数量:每批77颗,3批次;共231颗待测芯片
参考方法:JEDEC JESD22-A108
电源要求:设置电压偏置
测试温度:Ta = +105(等级: 2)
测试时间:1000小时
测试确认:芯片功能/性能测试(试验前后在室温、低温和高温分别进行电测。)
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
1.2 设备与仪器
高温寿命测试机

2. 早期失效率试验 (ELFR)
2.1 测试信息
样品数量:每批800颗,3批次;共2400颗待测芯片
参考方法:AEC - Q100-Rev-H
电源要求:设置电压偏置
测试温度:
Ta = +125(等级:2)
测试时间:48小时
测试确认:芯片功能/性能测试(试验前后在室温和高温分别进行电测。)
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
2.2 设备与仪器
  

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