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博文
(2023-06-07 08:54)
jianqiu,
1. 沟通占据上风,要找到制高点。和人谈判,先找到对方的弱点去打;
2. 不是仁慈的问题,别人认为是愚笨的行为;
3. 沟通中获取信息;并从中也可以交换到信息;不见的是背后说人什么话,而是更多rule,有价值的部分被别人感兴趣和能够作为交换信息的筹码
4. 收到攻击后就蔫了,不知道该做什么了。要有理有据的反击。抓住一点就可以了。即使犯错都可以作为一种正常的行为。
5. 给客户的培训时正常的交际行为,为什么做的很痛苦。


XiaoH
从新认识上班的目的,了解市场,也是理财的一部分。对市场的敏感性,行业发展的洞悉;
要跑市场,要看客户的需求。不聊无法知道客户的真是需求。所以还是要单独的走出去。
从星哥和另外一个公司开始,找项目。找可能的机会。


Silong,
还是多沟通。他的立意在于,理论上是可以实现的;更多的还是技术上的突破。所以要找目前方案卖点的可行性。确实目前产品是没有聚焦。
公司认为Le的量很大,所以,我粗略估计在30M*4-5=120-
1.转移注意力。改变身体姿态,换个更有信心的姿势;语言选择,想象自己变暖,自我控制;
2.开个小差,恢复活力,回想一个让自己感觉良好的时刻,正念冥想,关注当下,打个哈欠;
3.深度放松化解焦虑,自我催眠,录下催眠指导语
4.建立未来导向思维,积极设想未来好的积极结果。
5.把神经再次模式化,在情绪层面上调节情感,好奇,玩乐,欲望。
6,学会照顾自己,喝杯茶,欣赏风景,慢慢咀嚼食物,冥想,让自己舒适
7,保持大脑技能同步,将注意力集中在缺席的东西,而不是在席的东西。
8,探索无意识,慢跑,放空,回忆让人愉悦的活动,想无意识需求答案。
(2023-02-01 12:11)
build a small target: be in-sensitive, be happy, be open, be faceless
看五年,想三年,认认真真做一年,做多自己:
多看书,多见人,多学习,多运动

what you care:
我的家人;
我个人的提升,公司是否能够提供给我价值;寻找公司所能给我提供的价值;
快乐和释然。

对于那些不舒服应对措施,
做好自己的事情,演好自己的戏份,期望是成就自己。
其他的不确定的事情,就不去管他了。


自己喜欢的,开心的事情,
英语交流,但是现在看起来,将来不见得有多大的用处;但对于儿子的用处还是更大的。
(2022-08-29 13:57)
(2022-06-18 09:41)

Doherty功放设计

当今世界,通信技术的发展可谓日

分类: 半导体


POI衬底在最顶层是一层大概几百纳米厚的单晶的压电层,在它之下是一层氧化埋层,大概也是几百纳米厚度,在最底下基底的部分是高电阻率硅材料。

本月初,法国半导体公司Soitec宣布他们将为高通的4G、5G射频滤波器供应POI衬底材料。POI衬底相比传统的TC-SAW和BAW方案,可以提供更高性能的谐振器,在品质因数、耦合系数、频率温度系数等各测量维度均有优

从高通成立早期到2017年上旬:

高通对于手机SoC使用的编号一直都是MSM xxxxAPQ xxxx

MSM(Mobile Station Modem)意思就是集成了通讯基带的手机处理器

APQ(Application Processor Qualcomm)意思就是没有集成通讯基带的手机处理器

第一位数字说明的是cpu,第一个数字678说明处理器含cpu。高通的手机soc基本上第一位数字全是8

第二位数字代表了支持的网络制式,0表示没有基带,2表示联通网络,6表示电信网络,9表示全网通

第三位,第四位数字表示了芯片代数,数字越大,芯片性能越好。

 

下面列出几个高通从成立早期到2017年上旬发售的处理器,让大家看看

骁龙652(MSM8976) 骁龙410(MSM8916APQ8016) 骁龙805(APQ8084)

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杂谈

频谱分析之步骤
由傅利叶(Fourier)级数得知,凡是周期性的讯号均可用倍频的正弦波来表示,因此示波器上所显示的是随时间变化之信号振幅,而在频谱分析仪上则以它的各个倍频谐波来表现,由此可得知它的频率成分。

(一)内部方块:
频谱分析仪的主要架构是超外差接收机,利用一个可扫频的本地振荡信号,透过混波器,与所欲观测的射频(RF)信号产生差频(中频)信号,再由后级的电路处

(2007-08-10 08:48)

半导体的发展:半导体从出现到发展到现在的阶段,经过了六十几的时间。第一个放大器产生于1938年,是由波欧(Robert Pohl)与赫希(Rudo if H

ilsch)所做的,使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极管的固态三端子元件的实用性。

二次大战后,美国的贝尔实验室(BellLab),成立了固态物理的研究部门。1947年11月17日,巴丁与布莱登(W alter Brattain 

1902~1987)在矽表面滴上水滴,用涂了蜡的钨丝与矽接触,再加一一伏特的电压,发现流经接点的电流增加了。但若想得到足够的功率放大,相邻两接两接触点的距离要接近到千分之二英寸以下。12月16日,布莱登用一块三角形塑料,在塑料角上贴上箔,然后用刀片切开一条细缝,形成距离很近的电极,其中,加正压的称为射极(emitter),负电压的称为集极(collector),塑料下方接触的锗晶体就是基极(base),构成第一个点接触电晶极。

19545年5有,第一颗以矽做成的电晶体才由美国德州仪器公司(Texas Instrum 

ents)开发成功;约在同时,利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来;在1975年底,各界已制造出六百种以上不同形式的电晶体,

  

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