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HK1225-7：HK12通用随机存储器HK1225---8K×8(2009-05-01 18:01)

标签：bdtic产品目录 nvram存储器杂谈

HK1225 通用随机存储器HK1225-7 8K×8

非易失性随机存取存储器HK1225

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HK1235-7：HK12通用随机存储器HK1235--32K×8(2009-05-01 17:59)

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HK1235-7：HK12通用随机存储器HK1235 32K×8

HK1235-7 256K非易失性SRAM为262，144bit，完全静态非易失性存储SRAM组成8位2768字长。每片NVRAM有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据。NVSRAM能够直接用来替代现有的32K*8SRAM,符合普通字节宽度的28-pin DIP标准。HK1235-7 同样匹配28256 EEPROM的引出线，提高性能时可直接替代。可执行的写循环次数没有限制，微处理器界面也不需要附加支持电路。

一． HK1235引脚排列

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HK1245-7：HK12通用随机存储器HK1245-128K×8(2009-05-01 17:55)

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HK1245-7：HK12通用随机存储器HK1245 128K×8

HK1245-7 1024K非易失性SRAM为1,048,576bit，完全静态非易失性存储SRAM组成8位131072字长。每片NVRAM有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据。NVSRAM能够直接用来替代现有的128K*8SRAM,符合普通字节宽度的32-pin DIP标准。HK1245-7 同样匹配2716 EPROM 或2816 EEPROM 的引出线，提高性能时可直接替代。可执行的写循环次数没有限制，微处理器界面也不需要

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HK1255-7：HK12通用随机存储器HK1255-512K×8(2009-05-01 17:53)

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HK1255-7：HK12通用随机存储器HK1255-7 512K×8

HK1255-7 4096K 非易失性SRAM 为4,194,304bit， HK1255-7：HK12通用随机存储器HK1255-7 512K×8 完全静态非易失性存储SRAM组成8位524288 字长。HK1255-7 有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据。此外，HK1255-7 能够无条件地写存储器的保护块，所以无意中做的写操作不会干扰程序和特殊的数据空间。可用的写循

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HK1265-7：HK12通用随机存储器HK1265-256K×8(2009-05-01 17:51)

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HK1265-7：HK12通用随机存储器HK1265 256K×8

HK1265-7 2048K非易失性SRAM为2,097,152bit，完全静态非易失性存储SRAM组成8位262144字长。HK1265-7 有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据。NVSRAM能够直接用来替代现有的256K*8SRAM,符合普通字节宽度的32-pin DIP标准。低轮廓的HK1265-7模块符合68-p

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HK1275-7：HK12通用随机存储器HK1275---1M×8(2009-05-01 17:49)

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HK1275-7：HK12通用随机存储器HK1275 1M×8

HK1275-7 8192K非易失性SRAM为8,388,608bit， HK1275-7：HK12通用随机存储器HK1275 1M×8 完全静态非易失性存储SRAM组成8位1048576字长。HK1275-7 有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc 是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据.完全静态非易失性SRAM 能够直接用来替代现有的1M*8SRAM,符合普通字节宽度的36-pin DIP标准。可执行的写循环次数没有限制，

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HK1285-7：HK12通用随机存储器HK1285---2M×8(2009-05-01 17:47)

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HK1285-7：HK12通用随机存储器HK1285 2M×8

HK1285-7 16384K非易失性SRAM为16,777,216bit，完全静态非易失性存储SRAM组成8位2097052字长。每片NVRAM 有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据.NVRAM能够直接用来替代现有的 M*8SRAM,符合普通字节宽度的36-pin DIP标准。

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HK1295-7：HK12通用随机存储器HK1295---8M×8(2009-05-01 17:45)

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HK1295-7：HK12通用随机存储器HK1295 8M×8

HK1295-7 65536K非易失性SRAM为67,108,864bit， HK1295-7：HK12通用随机存储器HK1295 8M×8 完全静态非易失性存储SRAM 组成8位8M字长。HK1295-7 有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据.NVRAM 能够直接用来替代现有的8M*8SRAM,符合普通字节宽度的36-pin DIP标准。当电源没电时，

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HK12A5-7：HK12通用随机存储器HK12A5---4M×8(2009-05-01 17:43)

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HK12A5-7：HK12通用随机存储器HK12A5 4M×8

HK12A5-7 33768K非易失性SRAM为33,097,152bit，完全静态非易失性存储SRAM组成8位4194104字长。HK12A5-7 有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据.NVRAM能够直接用来替代现有的4M*8SRAM,符合普通字节宽度的36-pin DIP标准。当电源没有时，

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